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BSD840NL6327

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BSD840NL6327XT
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
INFINEON
SMD
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

BSD840NL6327
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
82490
INFINEON
SOT-363
新年份
-
一級(jí)代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

BSD840NL6327XT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Infineont
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BSD840NL6327XT
深圳市源運(yùn)電子商行
深圳市源運(yùn)電子商行
聯(lián)系人：林先生
電話：15913992480
地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓
3000
Infineon
16+
-

BSD840NL6327XT
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室
2520
Infineon technologies
N/A ㊣品
N/A 全新進(jìn)口
-
國(guó)內(nèi)授權(quán)代理分銷

1/1頁 40條/頁共14條
1

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BSD840NL6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BSD840NL6327 技術(shù)參數(shù)

BSD840NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:880mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 880mA，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:78pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD840N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:880mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 880mA，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:78pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD816SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD816SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:180pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD340NH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR BSE-020-01-L-D-EM2 BSE-020-01-L-D-EM2-GP BSE-020-01-L-D-FL BSE-020-01-L-D-LC BSE-020-01-L-D-TR

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