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BSD314SPEH6327

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價(jià)格
說明
操作

BSD314SPEH6327
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8
INFINEON
con
24+
-
晶體管

BSD314SPEH6327
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8
INFINEON
con
24+
-
晶體管

BSD314SPEH6327
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
SON/INFIN
SOT-363
1514+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BSD314SPEH6327XTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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BSD314SPEH6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BSD314SPEH6327 技術(shù)參數(shù)

BSD235NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235C L6327 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD223PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:390mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A

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