亚洲国产日韩av_精品久久久久久无码中文野结衣_日韩一区视频在线_亚洲视频狠狠_丝袜国产在线_毛片在线免费播放_中文字幕1区2区_亚洲国产综合自拍_在线中文字幕日韩_不卡的av在线播放

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BSC047N08NS4

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共3條
1

您是不是要找： BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1

BSC047N08NS4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC047N08NS4 技術參數

BSC047N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 40V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC046N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標準包裝:1 BSC046N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），80A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC046N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 10V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC042NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 91μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 37.5V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1 BSC061N08NS5ATMA1