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BLTDOE3

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BLTDOE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BLTDOE3 技術參數

BLT81,115 功能描述:TRANS NPN 9.5V 500MA SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:9.5V 頻率 - 躍遷:900MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 300mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BLT80,115 功能描述:RF Transistor NPN 10V 250mA 900MHz 2W Surface Mount SC-73 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:900MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 150mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1,000 BLT70,115 功能描述:RF Transistor NPN 8V 250mA 900MHz 2.1W Surface Mount SC-73 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:8V 頻率 - 躍遷:900MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2.1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 100mA，4.8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1,000 BLT50,115 功能描述:TRANS NPN UHF 7.5V SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:470MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 300mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BLT-100 功能描述:3M BELT BUCKLE BLT-100 制造商:3m 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 BLUENRG-134 BLUENRG-232 BLUENRG-234 BLUENRGCSP BLUENRG-MSCSP BLUENRG-MSQTR BLUENRGQTR BLUETOOTH-UART-1 BLUEWS BLUEWS121M BLUEWS61M BLVDS01 BLVDS03 BLVDS04/NOPB BLVDS16EVK BLVR-L01D-B1NS-N BLVR-L05D-B1NS-N BLVR-L10D-B1NS-N