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BLF6G10L-260PRN,112

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BLF6G10L-260PRN,112 技術(shù)參數(shù)

BLF6G10L-260PRN,11 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.8A 917.5MHz ~ 962.5MHz 22dB 40W SOT539A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:917.5MHz ~ 962.5MHz 增益:22dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:64A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:1.8A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT539A 供應(yīng)商器件封裝:SOT539A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF6G10L-260PBM:11 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.8A 40W CDFM8 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:64A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:1.8A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1110A 供應(yīng)商器件封裝:CDFM8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BLF6G10L-260PBM,11 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.8A 40W CDFM8 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:64A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:1.8A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1110A 供應(yīng)商器件封裝:CDFM8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF6G10-45,135 功能描述:FET RF 65V 957.5MHZ SOT608A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束晶體管類型:LDMOS 頻率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:13A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:350mA 功率 - 輸出:1W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-608A 供應(yīng)商器件封裝:CDFM2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BLF6G10-45,112 功能描述:FET RF 65V 957.5MHZ SOT608A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):生命周期結(jié)束晶體管類型:LDMOS 頻率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:13A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:350mA 功率 - 輸出:1W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-608A 供應(yīng)商器件封裝:CDFM2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200RN,11 BLF6G10LS-200RN:11 BLF6G10LS-260PRN,1 BLF6G10LS-260PRN:1 BLF6G10S-45,112 BLF6G13L-250P,112 BLF6G13LS-250P,112 BLF6G13LS-250PGJ BLF6G15L-250PBRN,1 BLF6G15L-250PBRN:1 BLF6G15L-40BRN,112 BLF6G15L-40BRN,118

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