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BFU710F115

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
NXP
功能描述
制造商
NXP Semiconductors
功能描述

BFU710F115 技術(shù)參數(shù)

BFU710F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:2.8V 頻率 - 躍遷:43GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz 增益:- 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:4-DFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFU690F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:18GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz 增益:15.5dB ~ 18.5dB 功率 - 最大值:230mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:4-DFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFU668F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F 制造商:nxp usa inc. 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFU660F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:12dB ~ 21dB 功率 - 最大值:225mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:4-DFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFU630F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13dB ~ 22.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:4-DFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFV10-10Q BFV10-6L BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L BFV14-8Q BFV18-10C BFV18-10L BFV18-10Q BFV18-6C

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