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BFT92INCT

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BFT92INCT 技術參數

BFT92E6327 功能描述:RF Transistor PNP 15V 25mA 5GHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:8dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10 BFT92,215 功能描述:TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFT46,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.2V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BFT25A,215 功能描述:TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:32mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500μA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFT25,215 功能描述:TRANS RF NPN 5V 2.3GHZ SOT23-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:2.3GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:5.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:30mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFU520XAR BFU520XRR BFU520XRVL BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R BFU530VL BFU530WF BFU530WX BFU530XAR BFU530XRR BFU530XRVL BFU530XVL BFU550AR BFU550AVL