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BFR93AW/DG,115

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BFR93AW/DG,115 技術參數

BFR93AW,135 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:10,000 BFR93AW,115 功能描述:TRANS NPN 12V 35MA 5GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BFR93AR,215 功能描述:TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFR93AE6327HTSA1 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:90mA 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 基本零件編號:BFR93 標準包裝:1 BFR93A,235 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 6GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BFS 469L6 E6327 BFS 481 E6327 BFS 483 E6327 BFS100-48 BFS100X2000 BFS17,215 BFS17,235 BFS17A,215 BFS17A,235 BFS17HTA BFS17HTC BFS17NQTA BFS17NTA BFS17PE6327HTSA1 BFS17SE6327HTSA1 BFS17SH6327XTSA1 BFS17TA BFS17W,115