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BFQ71-GEG/SIE

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BFQ71-GEG/SIE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFQ71-GEG/SIE 技術參數

BFQ67W,135 功能描述:RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:10,000 BFQ67W,115 功能描述:TRANS NPN 10V 20MA 8GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BFQ67,215 功能描述:TRANS NPN 50MA 10V 8GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFQ591,115 功能描述:TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2.25W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 70mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFQ540,115 功能描述:TRANS NPN 12V 9GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFR 182W E6327 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327