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BF995GS08 技術(shù)參數(shù)

BF994S,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類(lèi)型:N 通道雙門(mén) 頻率:200MHz 增益:25dB 電壓 - 測(cè)試:15V 額定電流:30mA 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:20V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BF992,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類(lèi)型:N 通道雙門(mén) 頻率:200MHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:10V 額定電流:40mA 噪聲系數(shù):1.2dB 電流 - 測(cè)試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:20V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BF991,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類(lèi)型:N 通道雙門(mén) 頻率:100MHz 增益:29dB 電壓 - 測(cè)試:10V 額定電流:20mA 噪聲系數(shù):0.7dB 電流 - 測(cè)試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:20V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS BFA.MH.100.XAZ BFA0000002

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