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BF4R-E

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BF4R-E 技術參數

BF494_D74Z 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF494_D27Z 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF494 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF493SG 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF493S 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF5030WH6327XTSA1 BF510,215 BF511,215 BF5118-20B BF512,215 BF512,235 BF513,215 BF5165-20B BF517E6327HTSA1 BF5200-20B BF-541A/B BF-541A/KOEM BF545A,215 BF545B,215 BF545C,215 BF550,215 BF550,235 BF556A,215