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BF256B_J35Z

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BF256B_J35Z
深圳市高創鑫電子科技有限公司
深圳市高創鑫電子科技有限公司
聯系人：曾小姐
電話：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田區華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間
資質：營業執照
12500
onsemi
TO-92-3
2023+
-
原裝正品現貨，假1罰100

1/1頁 40條/頁共7條
1

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功能描述
JFET JFET N-CHANNEL
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

BF256B_J35Z 技術參數

BF256B 功能描述:RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:13mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BF256AG 功能描述:RF Mosfet N-Channel JFET 800MHz 11dB TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:800MHz 增益:11dB 電壓 - 測試:- 額定電流:7mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BF256A 功能描述:RF Mosfet N-Channel JFET 800MHz 11dB TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:800MHz 增益:11dB 電壓 - 測試:- 額定電流:7mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BF247A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:30mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 BF247A 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:30mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 BF26285-20B BF26318-20B BF26360-20B BF26409-31B BF2661-24B BF2698-20B BF2930 BF2F BF2G BF2M-C BF2M-M BF2M-M0 BF-3 BF3/RC BF301 BF302 BF3024 BF303

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