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BCR-122JSB

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BCR-122JSB 技術(shù)參數(shù)

BCR119WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時(shí)間晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR119WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR119SH6433XTMA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時(shí)間晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR119SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購買時(shí)間晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR119SE6433HTMA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR12CS-12LBT1#BH0 BCR12FM-12LB#BB0 BCR12FM-14LB#FA0 BCR12FM-14LJ#BB0 BCR12LM-16LH-1#B00 BCR12PM-12LA#B00 BCR12PM-12LAA8#B00 BCR133E6327HTSA1 BCR133E6393HTSA1 BCR133E6433HTMA1 BCR133SB6327XT BCR133SE6327BTSA1 BCR133SE6433BTMA1 BCR133SH6327XTSA1 BCR133SH6433XTMA1 BCR133WE6327HTSA1 BCR133WH6327XTSA1 BCR135E6327HTSA1

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