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BC858B/B,235

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BC858B/B,235 技術(shù)參數(shù)

BC858B,235 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC858B,215 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:BC858 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC858B RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -30V, -0.1A, 22 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC858AWT1G 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC858AWT1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BC858BW-7-F BC858BWE6327HTSA1 BC858BW-G BC858BWH6327XTSA1 BC858BWT1 BC858BWT106 BC858BWT1G BC858C BC858C RFG BC858C-7-F BC858CDW1T1 BC858CDW1T1G BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T5 BC858CDXV6T5G BC858CE6327HTSA1 BC858CE6433HTMA1 BC858C-HF

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