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BC856AS-7-F

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BC856AS-7-F 技術參數

BC856AS-7 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:2 PNP（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BC856AMTF 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BC856ALT3G 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10,000 BC856ALT3 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:3,000 BC856ALT1G 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BC856B,235 BC856B/DG/B3,215 BC856B/DG/B3,235 BC856B-13-F BC856B-7-F BC856BDW1T1 BC856BDW1T1G BC856BDW1T3G BC856B-HF BC856BLT1 BC856BLT1G BC856BLT3 BC856BLT3G BC856BM3T5G BC856BMBYL BC856BMTF BC856BM-TP BC856BMYL