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B82477G2103M000 技術參數

B82477G2103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 4A 25 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:25 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 B82477G2102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 9A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±20% 額定電流:9A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 B82477D4683M000 功能描述:FIXED IND 68UH 1.55A 215 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477D4 零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±20% 額定電流:1.55A 電流 - 飽和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:215 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:350 B82477D4682M000 功能描述:FIXED IND 6.8UH 4.15A 35 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477D4 零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:4.15A 電流 - 飽和值:7.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:35 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:350 B82477D4473M000 功能描述:FIXED IND 47UH 1.85A 145 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477D4 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.85A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:145 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:350 B82477G2154M B82477G2154M000 B82477G2222M B82477G2222M000 B82477G2223M B82477G2224M B82477G2224M000 B82477G2332M B82477G2332M000 B82477G2333M B82477G2333M000 B82477G2334M B82477G2334M000 B82477G2472M B82477G2473M B82477G2474M B82477G2682M B82477G2682M000