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B82477-G4102-M

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B82477-G4102-M 技術參數

B82477G4102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 9.8A 7 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±20% 額定電流:9.8A 電流 - 飽和值:15A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:7 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 B82477G2684M000 功能描述:FIXED IND 680UH 480MA 1.2 OHM 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680μH 容差:±20% 額定電流:480mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.2 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:600 B82477G2684M 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 480mA 1.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680μH 容差:±20% 額定電流:480mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.2 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:600 B82477G2683M000 功能描述:FIXED IND 68UH 1.5A 120 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:120 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:600 B82477G2683M 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 120 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:120 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:600 B82477G4333M B82477G4334M B82477G4392M B82477G4472M B82477G4473M B82477G4474M B82477G4562M B82477G4652M B82477G4652M000 B82477G4682M B82477G4683M B82477G4684M B82477G4702M B82477G4823M B82477P2102M B82477P2102M000 B82477P2103M B82477P2103M000