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AUIRL1404ZSTRR

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AUIRL1404ZSTRR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IR
D2PAK
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRL1404ZSTRR 技術(shù)參數(shù)

AUIRL1404ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5080pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRL1404ZS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5080pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRL1404ZL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5080pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRL1404Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5080pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRL1404STRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 95A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6600pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLL024N AUIRLL024NTR AUIRLL024Z AUIRLL024ZTR AUIRLL2705 AUIRLL2705TR AUIRLR014N AUIRLR014NTRL AUIRLR024N AUIRLR024NTRL AUIRLR024Z AUIRLR024ZTRL AUIRLR120N AUIRLR120NTRL AUIRLR2703 AUIRLR2905 AUIRLR2905TRL AUIRLR2905Z

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