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AUIRF7665S2

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AUIRF7665S2TR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15610
INTERNATI
1521+
-
全新原裝現貨

AUIRF7665S2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7500
IR
FETSB
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

AUIRF7665S2TR
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
SMD
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

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AUIRF7665S2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AUIRF7665S2 技術參數

AUIRF7648M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），68A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 41A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.9V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2170pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應商器件封裝:DIRECTFET? M4 標準包裝:4,800 AUIRF7647S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:31 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:910pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應商器件封裝:DIRECTFET? SC 標準包裝:4,800 AUIRF7640S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.8A（Ta），21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 SB 供應商器件封裝:DIRECTFET SB 標準包裝:1 AUIRF7484QTR 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7484Q 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407