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ATP112-TL-H

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

ATP112-TL-H
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
ON
SMD
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

ATP112-TL-H
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
67500
ON
TO-252
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨

ATP112-TL-H
深圳市源運(yùn)電子商行
深圳市源運(yùn)電子商行
聯(lián)系人：林先生
電話：15913992480
地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓
2880
ON
16+
-

ATP112-TL-H
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
2520
ON Semiconductor
N/A ㊣品
N/A 全新進(jìn)口
-
國內(nèi)授權(quán)代理分銷

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ATP112-TL-H PDF下載

功能描述
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ATP112-TL-H 技術(shù)參數(shù)

ATP108-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.4 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:79.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP106-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP104-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Ta）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 38A，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP104-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3950pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP207-TL-H ATP208-TL-H ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H

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