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APTGV30H60T3G

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APTGV30H60T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGV30H60T3G 技術參數

APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGV25H120BG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 1200V 40A 156W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止配置:升壓斬波器，全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGV15H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 25A 115W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 功率 - 最大值:115W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 150A 340W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGV100H60BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止配置:升壓斬波器，全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK APTL3216SYCK APTL3216SYCK01 APTL3216ZGC