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APTGLQ80HR120CT3G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGLQ80HR120CT3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優勢產品

APTGLQ80HR120CT3G
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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APTGLQ80HR120CT3G PDF下載

功能描述
PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
150A
功率 - 最大值
500W
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.4V @ 15V，80A
電流 - 集電極截止（最大值）
150μA
不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
4.6nF @ 25V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
是
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
SP3
供應商器件封裝
SP3
標準包裝
1

APTGLQ80HR120CT3G 技術參數

APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:600μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:36.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ50VDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙路升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G