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APTGF90DH60T3G

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封裝
批號
價格
說明
操作

APTGF90DH60T3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
165
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共14條
1

您是不是要找： APTGF90DH60TG APTGF90DU60TG APTGF90H60T3G APTGF90H60TG APTGF90SK60D1G APTGF90SK60T1G APTGF90SK60TG APTGF90TA60PG APTGF90TDU60PG

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功能描述
IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGF90DH60T3G 技術參數

APTGF90DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF90DA60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF90DA60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 130A 445W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGF90A60TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF90A60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGFQ25H120T2G APTGL120TA120TPG APTGL120TDU120TPG APTGL180A1202G APTGL180A120T3AG APTGL240TL120G APTGL325A120D3G APTGL325DA120D3G APTGL325SK120D3G APTGL40H120T1G APTGL40X120T3G APTGL475A120D3G APTGL475DA120D3G APTGL475SK120D3G APTGL475U120D4G APTGL475U120DAG APTGL60DDA120T3G APTGL60DH120T3G