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APTGF50DA120T1G

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTGF50DA120T1G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現(xiàn)貨，

APTGF50DA120T1G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條
1

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APTGF50DA120T1G PDF下載

功能描述
IGBT 1200V 75A 312W SP1
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻
無(wú)
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

APTGF50DA120T1G 技術(shù)參數(shù)

APTGF50A60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50A120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF500U60D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 625A 2000W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:625A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，500A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D4 供應(yīng)商器件封裝:D4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF400U120D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 510A 2500W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:510A 功率 - 最大值:2500W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:26nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D4 供應(yīng)商器件封裝:D4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50DU120TG APTGF50H120TG APTGF50H60T1G APTGF50H60T2G APTGF50H60T3G APTGF50SK120T1G APTGF50SK120TG APTGF50TA120PG APTGF50TDU120PG APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG

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