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APT901RDN

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數量
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批號
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說明
操作

APT901RDN
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ADPOW
標準封裝
N/A
-
全新原裝100%正品保證質量

APT901RDN
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ADPOW
標準封裝
13+
-

APT901RDN
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-264/TO-3PL
25+
-
國產品牌，替代進口

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | CHIP

APT901RDN 技術參數

APT8M80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1335pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT8M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1885pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT8DQ60KCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管配置:1 對共陰極二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.4V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:19ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 600V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT85GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 開關能量:6mJ（開），3.8mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:660nC 25°C 時 Td（開/關）值:43ns/300ns 測試條件:600V，85A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:1 APT85GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 電流 - 集電極截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01