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APT8018JNFR

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說明
操作

APT8018JNFR
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

APT8018JNFR
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
APT
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

APT8018JNFR
香港新鵬輝電子有限公司
香港新鵬輝電子有限公司
聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)福華路世界貿(mào)易廣場C座1106
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
26550
APT
正品封裝
25+
-
正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

APT8018JNFR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
86530
APT
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

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1

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 40A I(D)

APT8018JNFR 技術(shù)參數(shù)

APT8018JN 功能描述:MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:700nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8014JLL 功能描述:MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7238pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT7M120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:80nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2565pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:335W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT7M120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2565pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT7F80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1335pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L APT84M50B2 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG

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配單專線：0755-84864007

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