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APT65GP60JDQ2MI

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APT65GP60JDQ2MI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

1/1頁 40條/頁共1條
1

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APT65GP60JDQ2MI 技術(shù)參數(shù)

APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.4nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT65GP60B2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):250A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，65A 功率 - 最大值:833W 開關(guān)能量:605μJ（開），896μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/91ns 測試條件:400V，65A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90LD30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1192μJ（開），1088μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/131ns 測試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90B2D30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1192μJ（開），1088μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/131ns 測試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT64GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:117A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):193A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，38A 功率 - 最大值:500W 開關(guān)能量:1857μJ（開），2311μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:162nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:18ns/131ns 測試條件:600V，38A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L

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