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APT5C20BVFR

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APT5C20BVFR 技術參數

APT58MJ50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:初步 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:540W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT58M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 43A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT58M50JU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT58M50JU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10800pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT58M50JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 42A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT60D100BG APT60D100LCTG APT60D100SG APT60D120BG APT60D120SG APT60D20BG APT60D20LCTG APT60D30BG APT60D30LCTG APT60D40BG APT60D40LCTG APT60D60BG APT60D60LCTG APT60DF100HJ APT60DF120HJ APT60DF20HJ APT60DF60HJ APT60DQ100BG

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