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APT200GT60JRDL

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價格
說明
操作

APT200GT60JRDL
香港新鵬輝電子有限公司
香港新鵬輝電子有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區福華路世界貿易廣場C座1106
資質：營業執照
26550
APT
正品封裝
25+
-
正規商現貨供應

APT200GT60JRDL
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT200GT60JRDL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
APT
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

1/1頁 40條/頁共4條
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您是不是要找： APT2012CGCK APT2012EC APT2012F3C APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK APT2012MGC

APT200GT60JRDL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT200GT60JRDL PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube

APT200GT60JRDL 技術參數

APT200GT60JR 功能描述:IGBT 600V 195A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:195A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.65nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC