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APT13GP120KG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT13GP120KG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
APT(MICROSEMI)
TO-220 [K]
09+
-
全新原裝100%正品保證質量

APT13GP120KG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
APT(MICROSEMI)
TO-220 [K]
09+
-
全新原裝100%正品保證質量

APT13GP120KG
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
APT(MICROSEMI)
TO-220 [K]
09+
-
全新原裝100%正品保證質量

APT13GP120KG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APT13GP120KG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
TO-220K
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

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1

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功能描述
IGBT 1200V 41A 250W TO220
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT13GP120KG 技術參數

APT13GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關能量:115μJ（開），165μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT13GP120BDQ1G 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:41A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 開關能量:115μJ（開），165μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:9ns/28ns 測試條件:600V，13A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT13F120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:145nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4765pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:1 APT13F120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT13005T-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO220AB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:900mV @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG