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8EWF120S

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8EWF120S 技術參數

8EWF10STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:270ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 8EWF10S 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:270ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:75 8EWF06STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:140ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 8EWF06STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:140ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 8EWF06STR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:140ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 8EWS12STRL 8EWS16S 8EWS16STRL 8F1011C-Z 8F1011-Z 8F1012-Z 8F1021-Z 8F1041-Z 8F1061-Z 8F2011-Z 8F2012C-Z 8F2012-Z 8F2021-Z 8F2041-Z 8F2051-Z 8F2061-Z 8F3011-Z 8F36-AAA105-0.50