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40EPS08PBF-墨西哥

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40EPS08PBF-墨西哥技術參數

40EPS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:450ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:450ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:180ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40EPF04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 40A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:180ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247AC 改進型工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 40F125 40F125E 40F12K 40F12KE 40F12R 40F12RE 40F13K 40F13KE 40F150 40F150E 40F15K 40F15KE 40F15R 40F15RE 40F17K 40F17KE 40F180 40F180E