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2SK373G

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2SK373G 技術(shù)參數(shù)

2SK3738-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 40V SC-75 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.3V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1.7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3737-5-TL-E 功能描述:FET RF 15V 100MHZ 3MCP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:N 通道頻率:100MHz 增益:35dB 電壓 - 測試:10V 額定電流:30mA 噪聲系數(shù):2dB 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3720-5-TB-E 功能描述:FET RF 15V 100MHZ 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:N 通道頻率:100MHz 增益:35dB 電壓 - 測試:10V 額定電流:30mA 噪聲系數(shù):2dB 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3711 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8000pF @ 10V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3710 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220S 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:85A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ 2SK3796-2-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-4-TL-E 2SK3800 2SK3800VL 2SK3800VR 2SK3801 2SK3811-ZP-E1-AY 2SK3813-AZ 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E

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