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2SK3562(STA4,Q)

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制造商
Toshiba
功能描述
Nch 600V 6A 1.25@10V TO220SIS Bulk

2SK3562(STA4,Q) 技術參數

2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:200mW 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SK3547G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK354700L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SK3546J0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:125mW 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E