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2SK2999

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2SK2999
北京首天偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
TOS
TO-262/263
15+
-
原裝正品，假一罰十

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2SK2999 技術(shù)參數(shù)

2SK2995(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:132nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5400pF @ 10V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）IS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2993(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2989,T6F(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2989,F(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2989(TPE6,F,M) 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK303100L 2SK3043 2SK3044 2SK3045 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q)

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