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2SK2746F

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制造商
Toshiba
功能描述
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

2SK2746F 技術(shù)參數(shù)

2SK2744(F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2740 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK2731T146 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:25pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2719(F) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:750pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2715TL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:280pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M 2SK2963(TE12L,F) 2SK2967(F) 2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989(TPE6,F,M) 2SK2989,F(J 2SK2989,T6F(J

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