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2SK2440TL

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2SK2440TL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
SANYO
TO
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-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

2SK2440TL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2000
SANYO
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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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2SK2440TL
深圳市湘達(dá)電子有限公司
深圳市湘達(dá)電子有限公司
聯(lián)系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室
24082
SANYO
原廠
21+
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百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價(jià)格有優(yōu)勢。

2SK2440TL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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2SK2440TL 技術(shù)參數(shù)

2SK2420 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2394-7-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:16mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:300mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:300mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK23800QL 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:50μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.3V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F2 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK2376(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3350pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標(biāo)片供應(yīng)商器件封裝:TO-220FL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F)

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