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2SD110M

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2SD110M 技術(shù)參數(shù)

2SD106AI-17 UL 功能描述:IC DUAL GATE DRIVER 6A 制造商:power integrations 系列:SCALE?-1 包裝:托盤零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)配置:半橋通道類型:- 驅(qū)動(dòng)器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15V 邏輯電壓?- VIL，VIH:- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:6A，6A 輸入類型:- 上升/下降時(shí)間（典型值）:100ns，80ns 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 2SD1060S-JKH-1E 功能描述:TRANS NPN 5A 50V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SD1060S-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SD1060S-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SD1060R-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P

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