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2SC892

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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

2SC892 技術(shù)參數(shù)

2SC6145A 功能描述:TRANS NPN 260V 15A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:260V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 5A，4V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC6145 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 5A，4V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC6144SG 功能描述:TRANS NPN 50V 10A TO220F-3FS 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:360mV @ 300mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 270mA，2V 功率 - 最大值:25W 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F-3FS 標準包裝:50 2SC6144 功能描述:TRANS NPN 50V 10A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:360mV @ 300mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 270mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SC6139,T2F(M 功能描述:TRANS NPN 1.5A 160V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SCR375P5T100Q 2SCR375P5T100R 2SCR502EBTL 2SCR502UBTL 2SCR512P5T100 2SCR512PFRAT100 2SCR512PT100 2SCR512RTL 2SCR513P5T100 2SCR513PFRAT100 2SCR513PT100 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100 2SCR514PT100 2SCR514RTL 2SCR522EBTL 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL

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