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2SC5086-Y(T5L.F)

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2SC5086-Y(T5L.F) 技術參數(shù)

2SC5086-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5085-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11dB ~ 16.5dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5085-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5084YTE85LF 功能描述:TRANSISTOR NPN MM S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SC5084-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J 2SC5172(YAZK,Q,M) 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q)

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