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2SC5012-FB(T1)

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述

2SC5012-FB(T1) 技術參數

2SC5012-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5011-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000 2SC5011-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5010-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:8.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 2SC5010-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:8.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5060TV2M 2SC5065-O(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5066-O,LF 2SC5066-Y,LF 2SC5071 2SC5084-O(TE85L,F) 2SC5084YTE85LF 2SC5085-O(TE85L,F) 2SC5085-Y(TE85L,F) 2SC5086-O,LF 2SC5086-Y,LF 2SC5087-O(TE85L,F) 2SC5087R(TE85L,F) 2SC5087YTE85LF 2SC5088-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F)