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2SC4782Q

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2SC4782Q 技術參數

2SC4774T106S 功能描述:TRANS NPN 6V 50MA SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:800MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 5mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SC4738-Y,LF 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC4738-GR,LF 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC4738-BL(TE85L,F 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC4731T-AY 功能描述:TRANS NPN 100V 4A FLP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標片供應商器件封裝:FLP 標準包裝:1,000 2SC4793,YHF(J 2SC4793,YHF(M 2SC48050QL 2SC4808G0L 2SC4808J0L 2SC4809J0L 2SC48350RL 2SC4837S-AY 2SC4853A-4-TL-E 2SC4881(CANO,F,M) 2SC4881,LS1SUMIF(M 2SC4883 2SC4883A 2SC4886 2SC4915-O,LF 2SC4915-Y,LF 2SC4935-Y,Q(J 2SC4944-GR(TE85L,F