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2SB815-E

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2SB815-E 技術參數

2SB815-7-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SB815-6-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 0.7A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SB772 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:12.5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 2SB315B-FF800R17KP4_B2 功能描述:MOD GATE DVR FF800R17KP4_B2 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:最後搶購標準包裝:2 2SB315B-FF800R17KF6 功能描述:MOD GATE DVR FF800R17KF6 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:最後搶購標準包裝:2 2SC0115T2A0-12 2SC040050-127-63L 2SC0435T2F1-17 2SC0435T2G1-17 2SC0435T2H0-17 2SC0535T2A1-33 2SC0535T2G0-33 2SC055045-127-63L 2SC0635T2A1-45 2SC0650P2A0-17 2SC0650P2C0-17 2SC085065-127-70L 2SC13180RA 2SC1318ARA 2SC13830R 2SC13830S 2SC13840Q 2SC13840R