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2SB1503-P

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2SB1503-P 技術參數(shù)

2SB1495,Q(M 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SB1495,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400V 0.5A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 50mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:25MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-2-A1 標準包裝:1 2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SB1474TL 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 4mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:2,500 2SB1580T100 2SB1587 2SB1588 2SB158900L 2SB1590KT146Q 2SB15920RA 2SB15990QL 2SB15990RL 2SB1623AP 2SB1647 2SB1648 2SB1649 2SB167900L 2SB1679G0L 2SB1689T106 2SB1690KT146 2SB1690TL 2SB169300L