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2SB14350RACT

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2SB14350RACT 技術參數

2SB14350RA 功能描述:TRANS PNP 50V 2A MT-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-3-A1 標準包裝:1 2SB143400A 功能描述:TRANS PNP 50V 2A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:110MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-2-A1 標準包裝:1 2SB1427T100E 功能描述:TRANS PNP 20V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:390 @ 500mA，6V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:90MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1424T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 3A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:240MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1424T100Q 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:240MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1457(TE6,F,M) 2SB1457,T6TOTOF(J 2SB1457,T6YMEF(M 2SB1462G0L 2SB1462J0L 2SB1463GRL 2SB1463JRL 2SB1474TL 2SB1481(TOJS,Q,M) 2SB14880PA 2SB1495,Q(J 2SB1495,Q(M 2SB15040QA 2SB15040RA 2SB1548AP 2SB1559 2SB1560 2SB1561T100Q