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2SB1270-Q

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2SB1270-Q 技術參數(shù)

2SB1260T100R 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1260T100Q 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1260T100P 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SB1259 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 10A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 10mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 2SB1258 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 2SB1316TL 2SB1320A0A 2SB1321A0A 2SB1322A0A 2SB1326TV2Q 2SB1326TV2R 2SB1351 2SB1375,CLARIONF(M 2SB1382 2SB1383 2SB1386T100Q 2SB1386T100R 2SB13980PA 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA

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