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2SB1145

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2SB1145
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
400045
YXYBDT臺灣
TO-220F
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現(xiàn)貨

2SB1145
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220F
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

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制造商
JMNIC
制造商全稱
Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
功能描述
Silicon PNP Power Transistors

2SB1145 技術(shù)參數(shù)

2SB1143T 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-126ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2SB1143S 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-126ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2SB1132T100R 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1132T100Q 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1132T100P 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SB1184TLQ 2SB1184TLR 2SB1186AE 2SB1188T100P 2SB1188T100Q 2SB1188T100R 2SB1189T100Q 2SB1189T100R 2SB1197KT146Q 2SB1197KT146R 2SB1198KT146Q 2SB1198KT146R 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E

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