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2SA2018TL-Z

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2SA2018TL-Z 技術參數

2SA2018TL 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:260MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:EMT3 標準包裝:1 2SA2016-TD-E 功能描述:TRANS PNP 50V 7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 40mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:330MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SA2013-TD-E 功能描述:TRANS PNP 50V 4A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:340mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SA2012-TD-E 功能描述:TRANS PNP 30V 5A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:210mV @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:3.5W 頻率 - 躍遷:420MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SA201000L 功能描述:TRANS PNP 15V 2.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:320mV @ 50mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L 2SA207800L 2SA2078G0L 2SA207900A 2SA2088T106Q 2SA2090TLQ 2SA2090TLR 2SA2092TLQ