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2SA1253R-AP

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2SA1253R-AP 技術參數

2SA1244-Y(Q) 功能描述:TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:200 2SA1242-Y(Q) 功能描述:TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:170MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:200 2SA1225-Y(Q) 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:200 2SA1216 功能描述:TRANS PNP 180V 17A MT-200 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 8A，4V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:40MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-ESIP 供應商器件封裝:MT-200 標準包裝:500 2SA1215 功能描述:TRANS PNP 160V 15A MT-200 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5A，4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-ESIP 供應商器件封裝:MT-200 標準包裝:1,000 2SA1312GRTE85LF 2SA1313-O(TE85L,F) 2SA1313-Y,LF 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU 2SA1381ESTU 2SA1381FSTU 2SA1382,T6MIBF(J 2SA1386 2SA1386A 2SA1407E 2SA1416S-TD-E 2SA1416T-TD-E 2SA1417S-TD-E 2SA1417T-TD-E 2SA1418S-TD-E