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2N604A

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2N604A
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
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地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
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2N604A 技術參數

2N6049 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6048 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6045G 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6045 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6043G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6071BT 2N6071BTG 2N6073AG 2N6073BG 2N6075AG 2N6075BG 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G 2N6111 2N6111G 2N6123